温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种光刻方法，该方法包括：对原始目标图案进行预处理，形成二次目标图案，所述二次目标图案不包括直角转角；对二次目标图案进行OPC处理，形成修改后的二次目标图案；按照修改后的二次目标图案在掩膜版上形成掩膜版图案；根据掩膜版图案对晶片...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。