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一种形成栅极的方法，包括：提供衬底；在衬底表面形成栅介质层，在栅介质层表面形成氮化钨层，在氮化钨层表面形成钨层；图形化氮化钨层和钨层；湿法刻蚀去除部分图形化后的氮化钨层和钨层，且湿法刻蚀对氮化钨的刻蚀速率大于对钨的刻蚀速率，形成伪栅极，伪栅...
该专利属于中芯国际集成电路制造（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（北京）有限公司授权不得商用。

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