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磊晶元件的制作方法技术
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文档序号:7412011
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一种磊晶元件的制作方法:先在磊晶用基板上形成牺牲膜;再将牺牲膜定义出牺牲结构,并在移除牺牲膜的部分结构时使基板裸露出的区域具有多个彼此相连接的凸部与凹部;接着在牺牲结构与凸部向上磊晶形成底面与所述凹部形成间隙的磊晶层体;然后自磊晶层体上形成...
该专利属于萧介夫所有,仅供学习研究参考,未经过萧介夫授权不得商用。
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