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本发明涉及一种具有粗化层的发光二极管的制造方法，本发明的制造方法主要利用控制发光二极管的倾斜角度并进行干式蚀刻于发光二极管的导电层蚀刻出新的粗化层结构，本发明的粗化层为一草状奈米结构，与现有技术的粗化层结构不相同，而本发明的粗化层可使发光二...
该专利属于鼎元光电科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过鼎元光电科技股份有限公司授权不得商用。

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