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本发明的硅精制方法中，使用至少具备填充金属硅的坩埚和等离子体喷枪的硅精制装置，填充在所述坩埚中的金属硅的熔融金属面与由所述等离子体喷枪喷射的等离子体气体形成的角被设定为20度以上80度以下的状态下，向着所述熔融金属面喷射所述等离子体气体，由...
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