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发光半导体装置(401)具有由铋(Bi)和一种或多种其它V族元素形成的有源区(405)。在具体实施方式中，III-V材料除包括铋外，还包括砷化镓(GaAs)。在所述III-V材料中包含铋，减小了带隙，同时提高了该材料的自旋轨道分裂能量。当自...
该专利属于萨里大学所有，仅供学习研究参考，未经过萨里大学授权不得商用。

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