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本发明公开了发光二极管装置及其制造方法。在一实施例中，发光二极管装置包含一具有第一表面与第一厚度的N型层，以及一位于第一表面的凹坑层。凹坑层具有第二表面以及介于以及至第二厚度。此外，一具有介于至的第三厚度的活性层位于第二表面，并且一P型层位...
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