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本发明的半导体用膜，是依次层叠支承膜、第二粘着层、第一粘着层和粘接层来形成，并以如下方式构成：在粘接层上层叠半导体晶片并切割半导体晶片时支承半导体晶片，并且在拾取单片化的半导体晶片(半导体元件)时，有选择性地使第一粘着层与粘接层之间发生剥离...
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