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本发明公开制造具有作为通道形成区域的氧化物半导体的薄膜晶体管的方法。所述方法包括：在栅绝缘层上形成氧化物半导体层；在所述氧化物半导体层上形成与所述氧化物半导体层接触的源电极层和漏电极层以便暴露所述氧化物半导体层的至少一部分；和在所述氧化物半...
该专利属于株式会社半导体能源研究所所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社半导体能源研究所授权不得商用。

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