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一种利用应力记忆技术提高NFET窄沟道效应(Narrow?Width?Effect)的方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一半导体衬底，在所述半导体衬底上形成包括NFET结构的半导体器件；在所述半导体器件上淀积形成刻蚀停止层；在所述刻蚀停止...
该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。

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