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具有增大的提取效率的再发光半导体构造制造技术
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文档序号:7353424
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本发明整体涉及固态半导体光源以及相关的器件、系统、和方法。半导体层叠堆(310)形成再发光半导体构造(RSC)。叠堆(310)包括将第一波长的光转换成第二波长的光的有源区(316),有源区(316)包括至少一个势阱。叠堆(310)还包括从叠...
该专利属于3M创新有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过3M创新有限公司授权不得商用。
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