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本发明涉及在基材上制备包含至少一种半导体金属氧化物的层的方法，至少包括以下步骤：(A)将包含至少一种半导体金属氧化物的多孔层施加至基材上，(B)用包含半导体金属氧化物的至少一种前体化合物的溶液处理来自步骤(A)的多孔层，使得所述多孔层的孔至...
该专利属于巴斯夫欧洲公司所有，仅供学习研究参考，未经过巴斯夫欧洲公司授权不得商用。

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