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本发明公开了一种降低外延自掺杂效应的方法，外延生长为两步生长，包含如下步骤：1)在硅衬底上进行第一步外延生长，该生长过程中通入一定量的含碳气体；2)进行第二步外延生长。由于第一步在外延层中掺入一定量的碳，碳(C)原子对硼(B)原子或磷(P)...该专利属于上海华虹NEC电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹NEC电子有限公司授权不得商用。
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