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一种相变存储器的制造方法，包括：提供衬底，在衬底上形成绝缘层，绝缘层中形成多个露出衬底的孔洞；在孔洞中形成PN二极管，PN二极管未完全填满孔洞，从而形成PN二极管及绝缘层围成的第一开口；在PN二极管和绝缘层的上表面沉积停止层材料，形成保形覆...
该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。

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