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本发明公开了一种金属氧化物薄膜晶体管，包括衬底，在衬底上形成有栅电极，在衬底和栅电极上形成有栅绝缘层，在栅绝缘层上对应于栅电极的部分形成有沟道层，在沟道层和栅绝缘层上面覆盖有保护层，在保护层的刻蚀孔和沟道层上形成有源电极和漏电极，所述保护层...
该专利属于上海中科高等研究院所有，仅供学习研究参考，未经过上海中科高等研究院授权不得商用。

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