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本发明公开了一种在4H/6H-SiC(0001)硅面外延生长晶圆级石墨烯的方法，主要解决现有在4H/6H-SiC(0001)硅面外延生长石墨烯时，产生的石墨烯面积太小、均匀性不高的问题。其方法是，对4H/6H-SiC(0001)硅面进行清洁...
该专利属于西安电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学授权不得商用。

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