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BCD工艺中的双向高压MOS管及其制造方法技术
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文档序号:7314726
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本发明提供了一种BCD工艺中的双向高压MOS管及其制造方法,所述MOS管结构包括:半导体衬底;形成于半导体衬底中具有第一掺杂类型的埋层;形成于埋层上的外延层;形成于外延层中具有第一掺杂类型的第一阱区;分别形成于第一阱区两侧的外延层中具有第二...
该专利属于杭州士兰集成电路有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过杭州士兰集成电路有限公司授权不得商用。
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