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描述了能够工作在高环境温度环境下的宽带隙(例如，＞2eV)半导体结型场效应晶体管(JFET)的栅极驱动器。宽带隙(WBG)半导体器件包括碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)器件。驱动器可以为非反相栅极驱动器，具有输入端、输出端、用于接收第一电...
该专利属于SSSCIP有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过SSSCIP有限公司授权不得商用。

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