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本发明公开了一种用于光伏型碲镉汞探测器的延展电极及制备方法。本发明中的电极为一种延展电极，该电极将pn结注入区的电极延展至非注入区的复合钝化层表面。该方法采用负性光致抗蚀剂光刻后获得顶部大底部小的光刻胶台面，利用薄膜生长时光刻胶台面的图形阴...
该专利属于中国科学院上海技术物理研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院上海技术物理研究所授权不得商用。

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