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本发明提供即使对于镀钯的引线框也能够确保良好的楔接合性、耐氧化性优异的以铜或铜合金为芯线的半导体用接合线。该半导体用接合线的特征在于，具有由铜或铜合金构成的芯线、在该芯线的表面的具有10～200nm的厚度的含有钯的被覆层和在该被覆层的表面的...该专利属于新日铁高新材料株式会社;日铁新材料股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过新日铁高新材料株式会社;日铁新材料股份有限公司授权不得商用。