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本发明涉及一种光刻机漏光检测方法和使用该方法的系统，属于光刻技术领域。在光刻版上设置用于直接曝光的主管芯区域和用于漏光曝光的副管芯区域，仅透过主管芯区域对涂覆有光刻胶的晶圆曝光；获取晶圆上副管芯区域漏光完全成像时，主管芯区域的临界曝光能量，...该专利属于无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司授权不得商用。