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本发明涉及一种垂直结构LED芯片的制作方法，包括：提供第一衬底，在所述第一衬底上依次形成缓冲层、N型氮化镓层、有源层以及P型氮化镓层以及金属反射层；提供第二衬底，将所述第一衬底倒置于所述第二衬底上，并利用金属焊料层将所述第二衬底的一面与金属...
该专利属于杭州士兰明芯科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过杭州士兰明芯科技有限公司授权不得商用。

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