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本发明涉及一种集成电阻的发光二极管芯片制作方法，包括以下制作步骤：在P型欧姆接触层表面上方形成P型金属欧姆接触层；将发光二极管芯片分割出多个独立单元，其中在发光二极管芯片两个端部的单元成为半导体电阻形成区；将其余多个独立单元形成多个发光二极...
该专利属于俞国宏所有，仅供学习研究参考，未经过俞国宏授权不得商用。

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