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具有集成通路和间隔的MEMS器件制造技术
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下载具有集成通路和间隔的MEMS器件的技术资料
文档序号:7223743
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本发明公开了MEMS器件和制造方法。具有夹在上层和下层之间的绝缘层的底部衬底可以粘合至器件层。可以选择性地去除上层的一个或多个部分,以形成一个或多个器件空腔。导电通路可以在位于所述一个或多个器件空腔之下的位置处穿过下层形成,并与下层电绝缘。...
该专利属于卡佩拉光子学公司所有,仅供学习研究参考,未经过卡佩拉光子学公司授权不得商用。
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