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形成多晶硅层的方法、TFT及制造方法和有机发光显示装置制造方法及图纸
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下载形成多晶硅层的方法、TFT及制造方法和有机发光显示装置的技术资料
文档序号:7207371
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本发明公开了一种形成多晶硅层的方法、一种形成薄膜晶体管的方法、一种薄膜晶体管和一种有机发光显示装置。形成多晶硅层的方法包括:在基底上形成缓冲层;利用氢等离子体处理所述缓冲层;在所述缓冲层上形成非晶硅层;在所述非晶硅层上形成用于使所述非晶硅层...
该专利属于三星移动显示器株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过三星移动显示器株式会社授权不得商用。
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