温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明涉及一种氧浓度为5×1017-7.5×1017cm-3的硅片，所述硅片在二选一进行以下热过程之后具有以下BMD密度：-在780℃下处理3小时并随后在1000℃下处理16小时之后，BMD密度为至多1×108cm-3；和-在以1K/min...
该专利属于硅电子股份公司所有，仅供学习研究参考，未经过硅电子股份公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。