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本发明公开了一种能够增强高注入电流下发光效率的GaN基半导体发光二极管。本发明由衬底、N型掺杂层、多量子阱发光层、P型掺杂层和电极组成，其中多量子阱发光层中靠近P型AlGaN电子阻挡层的最后一个势垒的带隙沿生长方向线性减小，其材料为此多量子...该专利属于中国科学院上海技术物理研究所;蓝雨软件技术开发（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院上海技术物理研究所;蓝雨软件技术开发（上海）有限公司授权不得商用。