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一种半导体晶体及其形成方法。该方法包括提供包含掺杂剂和III族元素的气体流、停止提供包含掺杂剂和III族元素的气体流降低温度、重新开始提供包含III族元素的气体流然后升高温度。...
该专利属于宜普电源转换公司所有，仅供学习研究参考，未经过宜普电源转换公司授权不得商用。

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