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本发明是一种全息闪耀光栅的制作方法，通过先在基片上制作同质光栅，以该同质光栅为掩模，进行斜向离子束刻蚀得到所需的闪耀光栅。由于在制作同质光栅时，可以控制正向离子束刻蚀的时间，使同质光栅的槽深得到精确控制，另外在干涉光刻得到光刻胶光栅之后，可...
该专利属于苏州大学所有，仅供学习研究参考，未经过苏州大学授权不得商用。

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