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一种具有大磁电阻效应的p-Si基异质结构的制备方法本专利操作，步骤如下：1)在对向靶磁控溅射镀膜机的靶头上安装一对石墨靶并均匀固定Ni片；2)将带有自然氧化层的p型Si片的玻璃基底表面杂质清除后，安装在样品架上；3)开启磁控溅射镀膜机抽真空...
该专利属于天津理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过天津理工大学授权不得商用。

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