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本发明涉及用于生产氯硅烷（主要为三氯硅烷）以及从这些氯硅烷沉积高纯度多晶硅的方法和相应的材料。氯硅烷生产的来源包括共晶或亚共晶铜硅，所述铜硅的浓度范围为１０至１６ｗｔ％硅。将共晶或亚共晶铜硅浇铸成适合于氯化反应器的形状，其中它被暴露于工艺气...
该专利属于阿里斯技术公司所有，仅供学习研究参考，未经过阿里斯技术公司授权不得商用。

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