温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

公开了关于单晶锗（Ｇｅ）生长的系统、方法和衬底。在一个示例性实施方案中，提供了一种生长单晶锗（Ｇｅ）晶体的方法。此外，所述方法可包括将第一Ｇｅ原料装入一个坩埚中，将第二Ｇｅ原料装入一个用以补充Ｇｅ熔体材料的容器中，将所述坩埚和容器密封在所述...
该专利属于ＡＸＴ公司所有，仅供学习研究参考，未经过ＡＸＴ公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。