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本发明提供一种半导体发光元件的制造方法，其中该制造方法具有使用由与构成半导体层的材料不同的材料形成的基板，并在该基板上成膜出ＩＩＩ族化合物半导体层的工序，能够减小所得到的半导体发光层的发光波长分布σ。本发明提供的半导体发光元件的制造方法，是...
该专利属于昭和电工株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过昭和电工株式会社授权不得商用。

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