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提供一种形成可逆电阻－切换金属－绝缘体－金属（″ＭＩＭ″）堆栈的方法，该方法包括：形成包括退化掺杂的半导体材料的第一导电层；以及在所述第一导电层之上形成基于碳的可逆电阻－切换材料。还提供其他方面。...
该专利属于桑迪士克３Ｄ有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过桑迪士克３Ｄ有限责任公司授权不得商用。

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