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根据本发明技术，提供一种ＪＦＥＴ装置结构及其制作方法。具体来说，提供包含具有源极（８４）及漏极（８６）的半导体衬底的晶体管（８０）。所述晶体管（８０）还包含形成于所述半导体衬底中所述源极（８４）与所述漏极（８６）之间的经掺杂沟道（８８），所...
该专利属于美光科技公司所有，仅供学习研究参考，未经过美光科技公司授权不得商用。

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