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本发明提供一种通过分子结合将第一衬底（２１０）结合在第二衬底（２２０）上的方法，所述方法包括下列步骤：在所述第一衬底（２１０）的结合面（２１０ａ）上形成绝缘体层（２１２）；将所述绝缘体层（２１２）化学－机械抛光；通过等离子体处理而活化所述第...
该专利属于Ｓ．Ｏ．Ｉ．技术（硅绝缘体技术）公司所有，仅供学习研究参考，未经过Ｓ．Ｏ．Ｉ．技术（硅绝缘体技术）公司授权不得商用。

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