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一种分立半导体器件具有基板，其具有第一导电类型的半导体材料。第一半导体层在该基板上形成。该第一半导体层具有第一导电类型的半导体材料。第二半导体层在第一半导体层上。该第二半导体层具有第二导电类型的半导体材料。沟槽穿过该第二半导体层形成且延伸到...
该专利属于特里昂科技公司所有，仅供学习研究参考，未经过特里昂科技公司授权不得商用。

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