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本发明描述了如下的半导体器件，其中将所述器件中的电流流动约束在整流结（例如，ｐ－ｎ结或金属－半导体结）之间。所述器件提供了非穿通型性能和改进的导电能力。所述器件可以是功率半导体器件，如结型场效应晶体管（ＶＪＦＥＴ）、静电感应晶体管（ＳＩＴ）...
该专利属于半南实验室公司所有，仅供学习研究参考，未经过半南实验室公司授权不得商用。

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