温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明揭示一种半导体电镀工艺，其以实质上无空隙的方式将铜沉积到穿硅通孔中以完全填充所述穿硅通孔。所述穿硅通孔的直径可大于约３微米，且其深度可大于约２０微米。使用低铜浓度且高酸度的电镀溶液来将铜沉积到所述穿硅通孔中。...
该专利属于诺发系统有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过诺发系统有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。