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本发明涉及太阳能电池及其制造方法，所述制造方法包括在基板的表面上不均匀地形成锯齿状部分、在所述基板中形成第一型半导体和第二型半导体、形成与所述第一型半导体接触的第一电极和形成与所述第二型半导体接触的第二电极。在制造太阳能电池的湿式蚀刻过程中...
该专利属于ＬＧ电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过ＬＧ电子株式会社授权不得商用。

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