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介电膜、介电膜的生产方法、半导体装置和记录介质制造方法及图纸
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下载介电膜、介电膜的生产方法、半导体装置和记录介质的技术资料
文档序号:7133373
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公开的是一种具有高介电常数和高温耐热性的介电膜。在一个实施方案中的介电膜(103)包括含有元素A、元素B以及含有N和O的复合氮氧化物,元素A由Hf构成,元素B由Al或Si构成,该介电膜(103)中元素A、元素B和N的摩尔分数根据B/(A+B...
该专利属于佳能安内华股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过佳能安内华股份有限公司授权不得商用。
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