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用于集成电路的互连结构，其包括完全包围集成电路中的铜线的硅酸锰和氮化硅锰层，并提供用于制备这种互连结构的方法。硅酸锰形成抵抗铜从布线扩散出的阻挡层，从而保护绝缘体过早断裂，保护晶体管免于被铜降解。硅酸锰和氮化硅锰还增进了铜和绝缘体之间的强有...
该专利属于哈佛学院院长等所有，仅供学习研究参考，未经过哈佛学院院长等授权不得商用。

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