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本发明涉及一种包括“绝缘体上半导体”型衬底（１）的支撑衬底（２）上的电连接触头的测试方法。该方法的特征在于包括下列步骤：ａ）获取“绝缘体上半导体”型衬底（１），所述“绝缘体上半导体”型衬底（１）包括完全被绝缘体层（３）覆盖的支撑衬底（２）和...
该专利属于Ｓ．Ｏ．Ｉ．ＴＥＣ绝缘体上硅技术公司所有，仅供学习研究参考，未经过Ｓ．Ｏ．Ｉ．ＴＥＣ绝缘体上硅技术公司授权不得商用。

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