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一种Si掺杂AlN稀磁半导体薄膜的制备方法技术
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文档序号:7116401
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本发明公开了一种Si掺杂AlN稀磁半导体薄膜的制备方法。本方法以为高纯的氮气作为工作气体,采用高纯Al靶和硅片原位共溅射,系统的本底真空度为10-5Pa-10-4Pa,基片为n型Si(100),靶材与基片间的距离为60mm,溅射功率为300...
该专利属于新疆大学所有,仅供学习研究参考,未经过新疆大学授权不得商用。
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