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本发明涉及一种掺杂阱的制作方法,包括:提供衬底,在衬底上形成具有第一图案的光刻胶层;在具有第一图案的光刻胶层和衬底上涂覆交联材料层;对衬底进行烘焙,以便使交联材料层发生交联反应,而在交联材料层的与具有第一图案的光刻胶层接触的部分形成交联层;...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。
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本发明涉及一种掺杂阱的制作方法,包括:提供衬底,在衬底上形成具有第一图案的光刻胶层;在具有第一图案的光刻胶层和衬底上涂覆交联材料层;对衬底进行烘焙,以便使交联材料层发生交联反应,而在交联材料层的与具有第一图案的光刻胶层接触的部分形成交联层;...