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一种具有一场效整流元件的功率半导体结构及其制造方法，所述功率半导体结构包括一漏极区、一本体区、一源极区、一栅极通道与一分流通道；其中，本体区位于漏极区的上方；源极区位于本体区内；栅极通道位于本体区内，且邻接于一栅极结构；分流通道位于本体区内...
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