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本发明公开了一种防止选择性外延工艺在填充过程中在介质膜掩模层(Hard?Mask)下面形成底部切口形貌(undercut)的结构，在沟槽形成后、选择性外延生长前形成具有不同厚度梯度的掩模层，并且该掩模层在靠近沟槽侧壁区域的厚度比远离沟槽侧壁...
该专利属于上海华虹NEC电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹NEC电子有限公司授权不得商用。

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