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一种镍离子掺杂锗锑碲荧光相变信息存储材料及其制备方法，该相变材料的组成为Ge2Sb2Te5:0.1~0.3Ni2+。该材料通过磁控溅射方法，将Ge2Sb2Te5靶和NiO靶共溅到K9玻璃基片上得到非晶态样，而后在纳秒激光的作用下得到晶态样。...
该专利属于中国科学院上海光学精密机械研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院上海光学精密机械研究所授权不得商用。

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