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一种半导体基发光装置(LED)，可包含p型氮化物层和该p型氮化物层上的金属欧姆接触。该金属欧姆接触平均厚度约小于比接触电阻率约小于10-3ohm·cm2。...
该专利属于克里公司所有，仅供学习研究参考，未经过克里公司授权不得商用。

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