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本发明涉及光伏电池以及用于形成光伏电池的背接触的方法。提供了一种用于形成包括至少一个半导体层(22，24)的光伏电池(10)的背接触(12)的方法。一个方法包括在金属接触(20)上沉积至少一个背接触材料(16)。该背接触材料包括金属氮化物或...
该专利属于通用电气公司所有，仅供学习研究参考，未经过通用电气公司授权不得商用。

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